TK35A08N1,S4X

Производится
TK35A08N1,S4X - Toshiba
Краткое описание: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Weight 0.211644oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 8.8ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 12.2mR
Package/Case TO-220-3
Package Quantity 50
Input Capacitance 1.7nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 28ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 35ns
Max Power Dissipation 30W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 10mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 35A
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.