TK35N65W,S1F

Производится
TK35N65W,S1F - Toshiba
Краткое описание: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Weight 1.340411oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 8ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 80mR
Package/Case TO-247-3
Package Quantity 30
Input Capacitance 4.1nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 70ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 150ns
Max Power Dissipation 270W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 68mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Continuous Drain Current (ID) 35A
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.