TK62J60W,S1VQ
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Дополнительная информация
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 15ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 38mR |
| Package Quantity | 25 |
| Input Capacitance | 6.5nF |
| Power Dissipation | 400W |
| Number of Elements | 1 |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 310ns |
| Max Power Dissipation | 400W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 33mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 61.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
