TK72E12N1,S1X

Производится
TK72E12N1,S1X - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 37ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 4.4mR
Package/Case TO-220-3
Package Quantity 50
Input Capacitance 8.1nF
Power Dissipation 255W
Turn-Off Delay Time 120ns
Max Power Dissipation 255W
Drain to Source Resistance 3.6mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 72A
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Drain to Source Breakdown Voltage 120V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.