TPC8223-H,LQ(S

Производится
TPC8223-H,LQ(S - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 2 N-Channel MOSFET, 9A, 30V, 2.5ns, SOP Package
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The TPC8223-H,LQ(S is a 2 N-Channel MOSFET with a maximum operating temperature of 150°C and a minimum operating temperature of -55°C. It has a continuous drain current of 9A and a drain to source voltage of 30V. The device features a fall time of 2.5ns and a maximum power dissipation of 450mW. It is available in a SOP package, suitable for surface mount applications.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
FET Type 2 N-Channel
Fall Time 2.5ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 17mR
Package/Case SOP
Package Quantity 2500
Input Capacitance 1.19nF
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 450mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.