TPCC8065-H,LQ(S

Производится
TPCC8065-H,LQ(S - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 30V 13A Surface Mount N-Channel MOSFET
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The TPCC8065-H,LQ(S MOSFET features a maximum drain to source voltage of 30V and continuous drain current of 13A. It has a maximum power dissipation of 18W and operates within a temperature range of -55°C to 150°C. The device is packaged in a surface mount configuration and is available in quantities of 3000 per reel. The MOSFET has an input capacitance of 1.35nF and a maximum Rds on resistance of 11.4mR.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Fall Time 2.1ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 11.4mR
Package Quantity 3000
Input Capacitance 1.35nF
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 18W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 13A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.