TPCC8066-H,LQ(S

Производится
TPCC8066-H,LQ(S - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: 30V 20V 11A Surface Mount N-Channel MOSFET
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The Toshiba TPCC8066-H,LQ(S MOSFET features a maximum operating temperature of 150°C and a minimum operating temperature of -55°C. It has a maximum power dissipation of 17W and a continuous drain current of 11A. The device is a surface mount N-channel MOSFET with a maximum drain to source voltage of 30V and a maximum gate to source voltage of 20V.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Fall Time 2.3ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 15mR
Package Quantity 3000
Input Capacitance 1.1nF
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 17W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.