TPH12008NH,L1Q

Производится
TPH12008NH,L1Q - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 7.4ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 12.3mR
Package/Case SOP
Package Quantity 1
Input Capacitance 1.9nF
Power Dissipation 48W
Turn-Off Delay Time 24ns
Max Power Dissipation 48W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 10.1mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.