TPH2900ENH,L1Q

Производится
TPH2900ENH,L1Q - Toshiba
Краткое описание: 200V 33A N-CH MOSFET SOP8 Surface Mount 29mR
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

N-channel MOSFET, 200V drain-source voltage, 33A continuous drain current, and 29mΩ maximum Rds On. Features a SOP package for surface mounting, with a maximum power dissipation of 78W. Operates across a wide temperature range from -55°C to 150°C, offering fast switching with a 20ns turn-on delay and 12ns fall time.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Fall Time 12ns
Packaging Cut Tape
Rds On Max 29mR
Package/Case SOP
Input Capacitance 2.2nF
Turn-On Delay Time 20ns
Turn-Off Delay Time 36ns
Max Power Dissipation 78W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 33A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.