TPN22006NH,LQ

Производится
TPN22006NH,LQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: N-CHANNEL MOSFET 60V 9A 18W Surface Mount
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The TPN22006NH,LQ is a surface mount N-CHANNEL MOSFET with a drain to source breakdown voltage of 60V and a continuous drain current of 9A. It has a maximum power dissipation of 18W and a drain to source resistance of 18mR. The device is packaged in a tape and reel format with a package quantity of 1. It operates over a temperature range of -40°C to 125°C.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 3.3ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 22mR
Capacitance 7.1E-10F
Package Quantity 1
Input Capacitance 710pF
Power Dissipation 18W
Turn-Off Delay Time 13ns
Max Power Dissipation 18W
Drain to Source Resistance 18mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.