TPN6R003NL,LQ

Производится
TPN6R003NL,LQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 3.3ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 6mR
Package Quantity 3000
Input Capacitance 1.4nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 11ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 18ns
Max Power Dissipation 700mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 6.8mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 27A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.