TPN6R303NC,LQ

Производится
TPN6R303NC,LQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
Производитель Toshiba
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 14ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 6.3mR
Resistance 0.0063R
Capacitance 1.37E-09F
Package Quantity 3000
Input Capacitance 1.37nF
Power Dissipation 19W
Turn-Off Delay Time 55ns
Max Power Dissipation 19W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 5.2mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.