TTA0002(Q)

Производится
TTA0002(Q) - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: PNP Transistor 160V 18A 180W Through Hole
Производитель Toshiba
Категория Разнообразный
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

The TTA0002(Q) is a PNP transistor with a collector-emitter breakdown voltage of 160V and a maximum collector current of 18A. It operates within a temperature range of -55°C to 150°C and has a maximum power dissipation of 180W. This lead-free device is available in bulk packaging with 100 units per package.
RoHS Compliant
Mount Through Hole
hFE Min 80
Polarity PNP
Frequency 30MHz
Lead Free Lead Free
Packaging Bulk
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 100
Power Dissipation 180W
Number of Elements 1
Radiation Hardening No
Transition Frequency 30MHz
Max Collector Current 18A
Max Power Dissipation 180W
Gain Bandwidth Product 30MHz
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Collector Base Voltage (VCBO) 160V
Collector-emitter Voltage-Max 2V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage -2V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.