VNS1NV04DP-E
Не рекомендуется для новых проектов
Увеличить
Краткое описание:
OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
Дополнительная информация
OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | OMNIFET II™, VIPower™ |
| Packaging | Rail/Tube |
| Package/Case | SOIC |
| Output Current | 1.7A |
| RoHS Compliant | Yes |
| Supply Current | 100uA |
| Package Quantity | 100 |
| Number of Outputs | 2 |
| Power Dissipation | 4W |
| Threshold Voltage | 500mV |
| Max Output Current | 3.5A |
| On-State Resistance | 250mR |
| Radiation Hardening | No |
| Reach SVHC Compliant | No |
| Max Power Dissipation | 4W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -40°C |
| Output Current per Channel | 1.7A |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
