ZXMN10A11G
Производится
Увеличить
Краткое описание:
DIODES INC. - ZXMN10A11G - MOSFET, N, SOT-223
Дополнительная информация
DIODES INC. - ZXMN10A11G - MOSFET, N, SOT-223
| RoHS | Compliant |
| Packaging | Cut Tape |
| Package/Case | SOT-223 |
| Power Dissipation | 3.9W |
| Threshold Voltage | 4V |
| Reach SVHC Compliant | No |
| Max Power Dissipation | 3.9W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
