ZXMN7A11G
Производится
Увеличить
Краткое описание:
DIODES INC. ZXMN7A11G MOSFET Transistor, N Channel, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
Дополнительная информация
DIODES INC. ZXMN7A11G MOSFET Transistor, N Channel, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
| RoHS | Compliant |
| Packaging | Cut Tape |
| Package/Case | SOT-223 |
| Power Dissipation | 3.9W |
| Threshold Voltage | 1V |
| Reach SVHC Compliant | No |
| Max Power Dissipation | 3.9W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
