ZXT13N50DE6
Производится
Увеличить
Краткое описание:
DIODES INC. ZXT13N50DE6 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 115 MHz, 1.1 W, 4 A, 450
Дополнительная информация
DIODES INC. ZXT13N50DE6 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 115 MHz, 1.1 W, 4 A, 450
| RoHS | Compliant |
| Polarity | NPN |
| Packaging | Cut Tape |
| Package/Case | SOT-23 |
| Power Dissipation | 1.1W |
| Reach SVHC Compliant | No |
| Transition Frequency | 115MHz |
| Max Power Dissipation | 1.1W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
