Кремниевой фототранзистор NPN, ИК-чип, с 3-контактным металлическим корпусом TO-18. Оснащён куполообразной линзой для обнаружения света сверху, обеспечивая максимальный световой ток 2000 мкА (типичный). Этот сквозный отверстие работает при температуре от -55 °C до 125 °C с максимальным напряжением излучателя-коллектора 5 В и напряжением коллектора-эмиттера 30 В. Максимальное рассеивание мощности составляет 250 мВт.
Silicon NPN phototransistor, IR chip, with a 3-pin TO-18 metal package. Features a domed lens for top-view light detection, offering a maximum light current of 2000 µA (typical). This through-hole component operates from -55 °C to 125 °C with a maximum emitter-collector voltage of 5 V and collector-emitter voltage of 30 V. Maximum power dissipation is 250 mW.
| PCB |
3 |
| ECCN |
3A001.a.2.c |
| PPAP |
Нет |
| Тип |
ИК-чип |
| Код HTS |
8541407080 |
| Монтаж |
Сквозное отверстие |
| Версии RoHS |
2002/95/EC |
| Код клетки |
5V1P1 |
| Пакет/кейс |
TO-18 |
| Полярность |
NPN |
| Приложение Б |
8541407080 |
| Форма вывода |
Сквозное отверстие |
| Тип формы линзы |
Куполый |
| Описание пакета |
Пакет контуров транзистора |
| Материал упаковки |
Металл |
| Базовый тип пакета |
Сквозное отверстие |
| Сертифицировано AEC |
Нет |
| Высота упаковки (мм) |
6.48 |
| Тип фототранзистора |
Фототранзистор |
| Диаметр упаковки (мм) |
5.84 |
| Количество контактов |
3 |
| Ориентация просмотра |
Вид сверху |
| Радиационная закалка |
Нет |
| Имя семейства пакетов |
TO-206-AA |
| Максимальный тёмный ток |
100nA |
| Мин. рабочая температура |
-55°C |
| Технологии изготовления |
Транзистор NPN |
| Количество каналов на чип |
1 |
| Макс. рабочая температура |
125°C |
| Максимальный световой ток |
2000(Typ)uA |
| Максимальное время падения |
3500(тип) |
| Максимальное время подъёма |
2000(Typ)ns |
| Автомобильная промышленность |
Нет |
| Максимальное рассеивание мощности |
250mW |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |
30V |
| Максимальное напряжение излучателя-коллектора |
5V |
| PCB |
3 |
| ECCN |
3A001.a.2.c |
| PPAP |
No |
| Type |
IR Chip |
| HTS Code |
8541407080 |
| Mounting |
Through Hole |
| Polarity |
NPN |
| Cage Code |
5V1P1 |
| Pin Count |
3 |
| Automotive |
No |
| Lead Shape |
Through Hole |
| Schedule B |
8541407080 |
| Package/Case |
TO-18 |
| AEC Qualified |
No |
| RoHS Versions |
2002/95/EC |
| Lens Shape Type |
Domed |
| Package Material |
Metal |
| Maximum Fall Time |
3500(Typ)ns |
| Maximum Rise Time |
2000(Typ)ns |
| Basic Package Type |
Through Hole |
| Package Description |
Transistor Outline Package |
| Package Family Name |
TO-206-AA |
| Package Height (mm) |
6.48 |
| Radiation Hardening |
No |
| Viewing Orientation |
Top View |
| Maximum Dark Current |
100nA |
| Phototransistor Type |
Phototransistor |
| Maximum Light Current |
2000(Typ)uA |
| Package Diameter (mm) |
5.84 |
| Fabrication Technology |
NPN Transistor |
| Max Operating Temperature |
125°C |
| Maximum Power Dissipation |
250mW |
| Min Operating Temperature |
-55°C |
| Number of Channels per Chip |
1 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |
30V |
| Maximum Emitter-Collector Voltage |
5V |