MRD3056

MRD3056 - Onsemi
Краткое описание: Инфракрасный фототранзистор NPN, 3-контактный TO-18, сквозное отверстие
Производитель Onsemi

Дополнительная информация

Кремниевой фототранзистор NPN, ИК-чип, с 3-контактным металлическим корпусом TO-18. Оснащён куполообразной линзой для обнаружения света сверху, обеспечивая максимальный световой ток 2000 мкА (типичный). Этот сквозный отверстие работает при температуре от -55 °C до 125 °C с максимальным напряжением излучателя-коллектора 5 В и напряжением коллектора-эмиттера 30 В. Максимальное рассеивание мощности составляет 250 мВт. Silicon NPN phototransistor, IR chip, with a 3-pin TO-18 metal package. Features a domed lens for top-view light detection, offering a maximum light current of 2000 µA (typical). This through-hole component operates from -55 °C to 125 °C with a maximum emitter-collector voltage of 5 V and collector-emitter voltage of 30 V. Maximum power dissipation is 250 mW.
PCB 3
ECCN 3A001.a.2.c
PPAP Нет
Тип ИК-чип
Код HTS 8541407080
Монтаж Сквозное отверстие
Версии RoHS 2002/95/EC
Код клетки 5V1P1
Пакет/кейс TO-18
Полярность NPN
Приложение Б 8541407080
Форма вывода Сквозное отверстие
Тип формы линзы Куполый
Описание пакета Пакет контуров транзистора
Материал упаковки Металл
Базовый тип пакета Сквозное отверстие
Сертифицировано AEC Нет
Высота упаковки (мм) 6.48
Тип фототранзистора Фототранзистор
Диаметр упаковки (мм) 5.84
Количество контактов 3
Ориентация просмотра Вид сверху
Радиационная закалка Нет
Имя семейства пакетов TO-206-AA
Максимальный тёмный ток 100nA
Мин. рабочая температура -55°C
Технологии изготовления Транзистор NPN
Количество каналов на чип 1
Макс. рабочая температура 125°C
Максимальный световой ток 2000(Typ)uA
Максимальное время падения 3500(тип)
Максимальное время подъёма 2000(Typ)ns
Автомобильная промышленность Нет
Максимальное рассеивание мощности 250mW
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 30V
Максимальное напряжение излучателя-коллектора 5V
PCB 3
ECCN 3A001.a.2.c
PPAP No
Type IR Chip
HTS Code 8541407080
Mounting Through Hole
Polarity NPN
Cage Code 5V1P1
Pin Count 3
Automotive No
Lead Shape Through Hole
Schedule B 8541407080
Package/Case TO-18
AEC Qualified No
RoHS Versions 2002/95/EC
Lens Shape Type Domed
Package Material Metal
Maximum Fall Time 3500(Typ)ns
Maximum Rise Time 2000(Typ)ns
Basic Package Type Through Hole
Package Description Transistor Outline Package
Package Family Name TO-206-AA
Package Height (mm) 6.48
Radiation Hardening No
Viewing Orientation Top View
Maximum Dark Current 100nA
Phototransistor Type Phototransistor
Maximum Light Current 2000(Typ)uA
Package Diameter (mm) 5.84
Fabrication Technology NPN Transistor
Max Operating Temperature 125°C
Maximum Power Dissipation 250mW
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage 30V
Maximum Emitter-Collector Voltage 5V