SI1902DL-T1-GE3

Производится
SI1902DL-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.000265oz
FET Type 2 N-Channel
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 10ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 385mR
Package/Case SOT-363-6
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 1
Number of Channels 2
Turn-On Delay Time 10ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 10ns
Max Power Dissipation 270mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 385mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.