SI2324DS-T1-GE3

Производится
SI2324DS-T1-GE3 - Vishay(Semiconductors)
Увеличить
Краткое описание: Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель Vishay(Semiconductors)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
FET Type 1 N-Channel
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 6ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 234mR
Package/Case SOT-23-3
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 190pF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 6ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 10ns
Max Power Dissipation 2.5W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 195mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.