SI3443BDV-T1-GE3

Производится
SI3443BDV-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.000705oz
Polarity P-CHANNEL
Fall Time 25ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 60mR
Package/Case TSOP
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 22ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 45ns
Max Power Dissipation 1.1W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 60mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.