SI4200DY-T1-GE3

Производится
SI4200DY-T1-GE3 - Vishay(Semiconductors)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
Производитель Vishay(Semiconductors)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.01787oz
FET Type 2 N-Channel
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 8ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 25mR
Package/Case SO
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 2500
Input Capacitance 415pF
Number of Channels 2
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 2.8W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 20mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.