SI4456DY-T1-GE3

Производится
SI4456DY-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.006596oz
Polarity N-CHANNEL
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 3.8mR
Nominal Vgs 2.8V
Package/Case SO
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 2500
Input Capacitance 5.67nF
Power Dissipation 3.5W
Number of Channels 1
Number of Elements 1
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 3.5W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 3.8mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 23A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.