SI4808DY-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Дополнительная информация
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | LITTLE FOOT® |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 22mR |
| Resistance | 0.022R |
| Package/Case | SO |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 2500 |
| Power Dissipation | 2W |
| Max Power Dissipation | 1.1W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 22mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
