SI4835BDY-T1-E3

Снят с производства
SI4835BDY-T1-E3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: P-CH MOSFET 30V 7.4A 18mR SOIC
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Снят с производства (OBSOLETE)

Дополнительная информация

P-Channel MOSFET, 30V Drain-Source Voltage, 7.4A Continuous Drain Current, 18mΩ Max Rds On. Features 15ns Turn-On Delay, 60ns Turn-Off Delay, and 13ns Fall Time. Surface mountable in an 8-SOIC package, operating from -55°C to 150°C. RoHS compliant and lead-free.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Width 4mm
Height 1.55mm
Length 5mm
Series TrenchFET®
Weight 0.006596oz
Polarity P-CHANNEL
Fall Time 13ns
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 18mR
Package/Case SOIC
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 2500
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 15ns
Turn-Off Delay Time 60ns
Max Power Dissipation 1.5W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 18mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Continuous Drain Current (ID) 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.