SI4866DY-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Weight | 0.006596oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 35ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 5.5mR |
| Package/Case | SO |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 2500 |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 28ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 82ns |
| Max Power Dissipation | 1.6W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 5.5mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
| Continuous Drain Current (ID) | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
