SI5414DC-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 14ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 17mR |
| Package/Case | SMD/SMT |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 3000 |
| Input Capacitance | 1.5nF |
| Turn-On Delay Time | 14ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 36ns |
| Max Power Dissipation | 6.3W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 40mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
| Continuous Drain Current (ID) | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
