SI5908DC-T1-GE3

Производится
SI5908DC-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Weight 0.002998oz
FET Type 2 N-Channel
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 12ns
Lead Free Lead Free
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 40mR
Package/Case SMD/SMT
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Number of Channels 2
Turn-On Delay Time 20ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 30ns
Max Power Dissipation 1.1W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 40mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Continuous Drain Current (ID) 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.