SI7104DN-T1-E3

Производится
SI7104DN-T1-E3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 12V 35A
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 12V 35A
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Width 3.05mm
Height 1.04mm
Length 3.05mm
Series TrenchFET®
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 10ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 3.7mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 2.8nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 12ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 36ns
Max Power Dissipation 52W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 3.7mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 26.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.