SI7230DN-T1-GE3

Производится
SI7230DN-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series TrenchFET®
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 10ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 12mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Threshold Voltage 3V
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 13ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 33ns
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 1.5W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 12mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.