SI7384DP-T1-GE3

Производится
SI7384DP-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Width 5.89mm
Height 1.04mm
Length 4.9mm
Series TrenchFET®
Weight 0.01787oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 13ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 8.5mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 10ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 45ns
Max Power Dissipation 1.8W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 8.5mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.