SI7862ADP-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
Дополнительная информация
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Weight | 0.01787oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 50ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 3mR |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 3000 |
| Input Capacitance | 7.34nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 42ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 120ns |
| Max Power Dissipation | 1.9W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 3mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
