SI7872DP-T1-GE3

Производится
SI7872DP-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Series LITTLE FOOT®
Weight 0.01787oz
FET Type 2 N-Channel
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 9ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 22mR
Package/Case SOIC
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 1
Number of Channels 2
Turn-On Delay Time 9ns
Radiation Hardening No
Max Power Dissipation 1.4W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 22mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Continuous Drain Current (ID) 6.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.