SI8441DB-T2-E1
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 80mohm @ 4.5V
Дополнительная информация
MOSFET 80mohm @ 4.5V
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Polarity | P-CHANNEL |
| Fall Time | 10ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 80mR |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 3000 |
| Input Capacitance | 600pF |
| Power Dissipation | 2.77W |
| Turn-Off Delay Time | 35ns |
| Max Power Dissipation | 13W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 80mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 5V |
| Continuous Drain Current (ID) | 10.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
