SI8902EDB-T2-E1
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Дополнительная информация
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 3000ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 3000 |
| Number of Channels | 2 |
| Turn-On Delay Time | 1000ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 17000ns |
| Max Power Dissipation | 1W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 45mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
