SIHF23N60E-GE3

Производится
SIHF23N60E-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Weight 0.211644oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 34ns
Lead Free Lead Free
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 158mR
Package/Case TO-220-3
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 50
Input Capacitance 2.418nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 22ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 66ns
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 35W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 158mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 23A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.