SIHG22N65E-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
Дополнительная информация
MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 38ns |
| Lead Free | Lead Free |
| Packaging | Bulk |
| Rds On Max | 180mR |
| Package/Case | TO-247AC |
| RoHS Compliant | Yes |
| Input Capacitance | 2.415nF |
| Power Dissipation | 227W |
| Turn-Off Delay Time | 73ns |
| Reach SVHC Compliant | Unknown |
| Max Power Dissipation | 227W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 180mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 4V |
| Continuous Drain Current (ID) | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 650V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
