SIHU7N60E-GE3

Производится
SIHU7N60E-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Weight 0.01164oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 14ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 600mR
Package/Case TO-251-3
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 680pF
Threshold Voltage 2V
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 13ns
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 24ns
Reach SVHC Compliant Unknown
Max Power Dissipation 78W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 600mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 4V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.