SIR642DP-T1-GE3

Производится
SIR642DP-T1-GE3 - Vishay(Siliconix)
Увеличить
Краткое описание: Trans MOSFET N-CH 40V 35.4A 8-Pin PowerPAK SO EP
Производитель Vishay(Siliconix)
Категория MOSFET
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH 40V 35.4A 8-Pin PowerPAK SO EP
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Width 5.15mm
Height 1.04mm
Length 6.15mm
Series TrenchFET®
Weight 0.01787oz
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 12ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 2.4mR
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 3000
Input Capacitance 4.155nF
Number of Channels 1
Turn-On Delay Time 30ns
Turn-Off Delay Time 38ns
Max Power Dissipation 41.7W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 2.4mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 60A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.