SIS430DN-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET 25V 35A 52W
Дополнительная информация
MOSFET 25V 35A 52W
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Width | 3.05mm |
| Height | 1.04mm |
| Length | 3.05mm |
| Series | TrenchFET® |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 10ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 5.1mR |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1 |
| Input Capacitance | 1.6nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 20ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 25ns |
| Max Power Dissipation | 52W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 5.6mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 35A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
