SUD50N02-06P-T4
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Дополнительная информация
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
| RoHS | Not CompliantNo |
| Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 9ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Package/Case | TO-252-3 |
| RoHS Compliant | No |
| Package Quantity | 2500 |
| Power Dissipation | 8.3W |
| Turn-On Delay Time | 11ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 24ns |
| Max Operating Temperature | 175°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 6mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 30A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
