Si4101DY-T1-GE3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Trans Mosfet P-ch 30V 25.7A 8-PIN SOIC N T/r
Дополнительная информация
Trans Mosfet P-ch 30V 25.7A 8-PIN SOIC N T/r
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Series | TrenchFET® |
| Polarity | P-CHANNEL |
| Fall Time | 11ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 6mR |
| Package/Case | SO |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 2500 |
| Input Capacitance | 8.19nF |
| Power Dissipation | 6W |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 80ns |
| Max Power Dissipation | 6W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 8mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 25.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
