SiHB16N50C-E3
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-Channel 500V
Дополнительная информация
MOSFET N-Channel 500V
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Weight | 0.050717oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 31ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 380mR |
| Package/Case | TO-263-3 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Package Quantity | 1000 |
| Input Capacitance | 1.9nF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 27ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 29ns |
| Max Power Dissipation | 250W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 380mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
