TK10A50D(STA4,Q,M)
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
Дополнительная информация
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 10ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 720mR |
| Package/Case | TO-220-3 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 1.05nF |
| Power Dissipation | 45W |
| Number of Elements | 1 |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 75ns |
| Max Power Dissipation | 45W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 620mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
