TK10E60W,S1VX
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
Дополнительная информация
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 5.5ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 380mR |
| Package/Case | TO-220 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 700pF |
| Power Dissipation | 100W |
| Turn-Off Delay Time | 75ns |
| Max Power Dissipation | 100W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 380mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 9.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
