TK16E60W,S1VX
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Дополнительная информация
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
| RoHS | Compliant |
| Mount | Through Hole |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 5ns |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rds On Max | 190mR |
| Package/Case | TO-220 |
| Package Quantity | 50 |
| Input Capacitance | 1.35nF |
| Power Dissipation | 130W |
| Number of Elements | 1 |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 100ns |
| Max Power Dissipation | 130W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 160mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
| Continuous Drain Current (ID) | 15.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
