TK6P60W,RVQ

Производится
TK6P60W,RVQ - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 7ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 820mR
Package/Case DPAK
Package Quantity 1
Input Capacitance 390pF
Power Dissipation 60W
Number of Elements 1
Radiation Hardening No
Turn-Off Delay Time 55ns
Max Power Dissipation 60W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 680mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Continuous Drain Current (ID) 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.