TK7A60W,S4VX

Производится
TK7A60W,S4VX - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 7ns
Packaging Rail/Tube
Rds On Max 600mR
Capacitance 4.9E-10F
Package/Case TO-220-3
Package Quantity 50
Input Capacitance 490pF
Power Dissipation 30W
Turn-Off Delay Time 55ns
Max Power Dissipation 30W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 500mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.