TP89R103NL,LQ
Производится
Увеличить
Краткое описание:
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
Дополнительная информация
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
| RoHS | Compliant |
| Mount | Surface Mount |
| Weight | 0.030018oz |
| Polarity | N-CHANNEL |
| Fall Time | 2.3ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rds On Max | 9.1mR |
| Package/Case | SOP |
| Package Quantity | 1 |
| Input Capacitance | 820pF |
| Number of Channels | 1 |
| Turn-On Delay Time | 8.4ns |
| Radiation Hardening | No |
| Turn-Off Delay Time | 14ns |
| Max Power Dissipation | 1W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -55°C |
| Drain to Source Resistance | 10.4mR |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
| Continuous Drain Current (ID) | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
