TPN14006NH,L1Q

Производится
TPN14006NH,L1Q - Toshiba
Увеличить
Краткое описание: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Производитель Toshiba
Категория Транзисторы
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Polarity N-CHANNEL
Fall Time 5.5ns
Packaging Tape and Reel
Rds On Max 14mR
Resistance 0.0139R
Capacitance 1E-09F
Package Quantity 5000
Input Capacitance 1.3nF
Power Dissipation 30W
Turn-Off Delay Time 18ns
Max Power Dissipation 30W
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Drain to Source Resistance 11mR
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Continuous Drain Current (ID) 13A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.